onsemi FCD900N60Z

Name: onsemi FCD900N60Z
Brand: onsemi
SKU: FCD900N60Z

N-Channel Power MOSFET, SuperFET® II, FAST, 600 V, 4.5 A, 900 mΩ, DPAK

$ 0.933

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	FCD900N60Z	37.112	2500							16h
Rochester Electronics	2	FCD900N60Z	1.358					0,963	0,799	0,712	14h
Arrow Electronics		FCD900N60Z	2.500	2500						0,746
Verical	2	FCD900N60Z	1.213	312					0,999	0,890
DigiKey	3	FCD900N60ZCT-ND	1.442	1	Cut Tape	2,660	1,713	1,171	0,868	0,868

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IHS

Datasheet10 SeitenVor 4 Jahren

Datasheet9 SeitenVor 12 Jahren

Master Electronics

onsemi

Fairchild Semiconductor

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Beschreibungen

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N-Channel Power MOSFET, SuperFET® II, FAST, 600 V, 4.5 A, 900 mΩ, DPAK

onsemi

FCD900N60Z Series 600 V 4.5 A N-Channel SuperFET® II Mosfet -TO-252, (D-Pak)

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.

Fairchild Semiconductor

Bilder

TME

Future Electronics

LZChips

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageDPAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Weight260.37 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)4.5 A

Drain to Source Breakdown Voltage650 V

Drain to Source Resistance900 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)600 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time11.9 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance720 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation52 W

Min Breakdown Voltage600 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation2 W

Rds On Max900 mΩ

Rise Time5.2 ns

Turn-Off Delay Time33.6 ns

Turn-On Delay Time10.9 ns

Dimensions

Height6.22 mm

Length6.73 mm

Width2.39 mm

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