onsemi FCD5N60TM

Name: onsemi FCD5N60TM
Brand: onsemi
SKU: FCD5N60TM

N-Channel Power MOSFET, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 4.6 A, 950 mΩ, DPAK

$ 0.881

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	FCD5N60TM	3.710	1	Cut Tape	2,780	1,800	1,360	1,140	1,140
Verical	2	FCD5N60TM	164	8			0,849	0,811	0,811	0,811
Arrow Electronics		FCD5N60TM	164	1		0,928	0,849	0,811	0,811	0,811
Rochester Electronics		FCD5N60TM	1.320					1,010	0,838	0,747	3h
DigiKey	3	FCD5N60TMCT-ND	4.119	1	Cut Tape	2,750	1,774	1,215	0,909	0,909

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IHS

Datasheet6 SeitenVor 11 Jahren

Newark

Upverter

onsemi

Fairchild Semiconductor

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2006-07-11

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FCD5N60TM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Power MOSFET, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 4.6 A, 950 mΩ, DPAK

onsemi

N-Channel 600 V 0.95 Ohm Surface Mount SuperFET Mosfet - TO-252-3

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK

Win Source

MOSFET, N, 650V, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.6A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):950mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:54W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:TO-252; Current Id Max:4.6A; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:54W; Power Dissipation Pd:54W; Pulse Current Idm:13.8A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5V; Voltage Vgs th Min:3V

element14 APAC

SuperFET® MOSFET is Fairchild Semiconductor’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageDPAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Weight260.37 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)4.6 A

Current Rating4.6 A

Drain to Source Breakdown Voltage600 V

Drain to Source Resistance950 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)600 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time22 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance600 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation54 W

Min Breakdown Voltage600 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingCut Tape

Power Dissipation54 W

Rds On Max950 mΩ

Resistance950 MΩ

Rise Time40 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage5 V

Turn-Off Delay Time47 ns

Turn-On Delay Time12 ns

Voltage Rating (DC)600 V

Dimensions

Height2.39 mm

Length6.73 mm

Width6.22 mm

Datenblätter und Dokumente

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