onsemi DF08M

Name: onsemi DF08M
Brand: onsemi
SKU: DF08M

DF08M Series 1.5 A 800 V 5 uA Through Hole Bridge Rectifier -DIP-4

$ 0.155

EOL

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Distributor	SKU		Min
Rochester Electronics	DF08M	48.646				0,187	0,155	0,138	7h
element14 APAC	DF08M	0	1	0,567*	0,434*	0,383*	0,295*	0,276*	21h
LCSC	C243039	3	1	0,368	0,292	0,219	0,190	0,190	17h
Anlinkda	DF08M	45.053		0,415	0,372	0,338	0,307	0,255	15h
Shenzhen Glow Technology Co., Ltd	457571	Kontakt	10		0,620	0,558	0,502	0,502	>1w

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Upverter

Technical Drawing1 SeiteVor 6 Jahren

IHS

Fairchild Semiconductor

onsemi

Farnell

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onsemiDF08M

VishayDF08M-E3/45

Price @ 1000

$ 0.155

$ 0.206

Stock

110,095

295,365

Authorized Distributors

Average Rectified Current

1.5 A

1 A

Peak Reverse Current

5 µA

Forward Voltage

1.1 V

Max Reverse Leakage Current

5 µA

Mount

Through Hole

Case/Package

PDIP

DIP

Max Operating Temperature

150 °C

Min Operating Temperature

-55 °C

Max Forward Surge Current (Ifsm)

50 A

Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)

800 V

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.00.80

Introduction Date1998-01-01

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi DF08M, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

DF08M Series 1.5 A 800 V 5 uA Through Hole Bridge Rectifier -DIP-4

Future Electronics

Diode Rectifier Bridge Single 800V 1.5A 4-Pin PDIP Rail

Avnet

Tube 5% Through Hole Single Phase Bridge Rectifier 1.1V @ 1A 1.5A 3.1W 1.1V

Fly-Wing Technology

50A 1.1V@1A 1.5A 800V DIP-4 Bridge Rectifiers ROHS

EBEE

RECTFR BRIDGE SGL 800V 1.5A 4PDIP

Master Electronics

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 800V V(RRM), Silicon

IHS

Br Mdip Pn 1.5A 800V Rohs Compliant: Yes

Newark

BRIDGE RECTIFIER, 1.5A, 800V, 4-DIP; No. of Phases:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:800V; Forward Current If(AV):1.5A; Forward Voltage VF Max:1.1V; Power Dissipation Pd:3.1W; Diode Mounting Type:Through Hole; Bridge Rectifier Case Style:DIP; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diode Case Style:DIP; External Depth:6.477mm; External Length / Height:3.302mm; External Width:8.509mm; Forward Surge Current Ifsm Max:50A; Output Current Max:1.5A; Package / Case:DIP; RMS Input Voltage:560V; Termination Type:Through Hole

element14 APAC

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

DF08M.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackagePDIP

MountThrough Hole

Number of Pins4

Number of Terminals4

Weight640 mg

Technical

Average Rectified Current1.5 A

Capacitance25 pF

Current Rating1.5 A

Element ConfigurationSingle

Forward Current1.5 A

Forward Voltage1.1 V

Max Forward Surge Current (Ifsm)50 A

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Output Current1.5 A

Max Power Dissipation3.1 W

Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)800 V

Max Reverse Leakage Current5 µA

Max Surge Current50 A

Min Breakdown Voltage800 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements4

Output Current1.5 A

Peak Non-Repetitive Surge Current50 A

Peak Reverse Current5 µA

Power Dissipation3.1 W

Reverse Standoff Voltage800 V

Reverse Voltage800 V

Schedule B8541100080

Tolerance5 %

Voltage Rating10 V

Voltage Rating (DC)800 V

Dimensions

Height3.3 mm

Length8.51 mm

Thickness558.8 µm