onsemi BUD42DG
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Obsolete
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Price @ 1000
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$ 0.439
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Stock
86,582
244,704
244,704
Authorized Distributors
2
3
3
Mount
-
-
-
Case/Package
TO-252-3
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
350 V
350 V
350 V
Max Collector Current
4 A
4 A
4 A
Transition Frequency
-
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
200 mV
200 mV
200 mV
hFE Min
10
10
10
Power Dissipation
25 W
-
-
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2011-01-06
LTD Date2011-07-02
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi BUD42DG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 10 @ 2A 5V 100muA 25W 650V
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
High Speed, High Gain NPN Bipolar Power Transistor
Trans GP BJT NPN 350V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)650 V
Collector Emitter Breakdown Voltage350 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)350 V
Current Rating2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)9 V
hFE Min10
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation25 W
Voltage Rating (DC)350 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen