onsemi BD809G

Name: onsemi BD809G
Brand: onsemi
SKU: BD809G

TRANS NPN 80V 10A TO220 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 10 A 1.5MHz 90 W Through Hole TO-220

$ 0.407

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	BD809G	1.193					0,490	0,407	0,363	10h
RS (Formerly Allied Electronics)	BD809G	0	5	Bulk		2,130	1,920	1,920	1,920	2h
Farnell	BD809G	0	1		0,716*	0,701*	0,701*	0,701*	0,701*	1d
Win Source	WS-BD809G	750	60				0,975	0,650	0,650	11h
Worldway Electronics	BD809G	23.384	7	Tube		0,157	0,152	0,144	0,144	9h

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IHS

Datasheet4 SeitenVor 11 Jahren

Upverter

element14 APAC

onsemi

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onsemiBD809G

onsemiBD809

Price @ 1000

$ 0.407

$ 0.241

Stock

1,716,200

19,733

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

TO-220-3

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

80 V

Max Collector Current

10 A

Transition Frequency

1.5 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

1.1 V

hFE Min

Power Dissipation

90 W

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2001-01-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)

LTB Date2022-01-08

LTD Date2022-07-08

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi BD809G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

TRANS NPN 80V 10A TO220 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 10 A 1.5MHz 90 W Through Hole TO-220

Win Source

ON SEMI BD809G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 10 A, 80 V, 3-PIN TO-220

RS (Formerly Allied Electronics)

BD809 Series 80 V 10 A NPN Plastic High Power Silicon Transistor - TO-220

Future Electronics

PLASTIC HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

ComSIT Distribution GmbH

BIPOLAR Transistor, NPN, 80V TO-220; TRA; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V;

element14 APAC

Trans GP BJT NPN 80V 10A 90000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

Transistors Bipolar- General Purpose 10A, 80V, 90W NPN

Mouser

High Power NPN Bipolar Transistor

onsemi

1mA 80V 90W 10A 15@4A2V 1.5MHz 1.1V@3A300mA NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-220 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

Trans, Bipol, Npn, 80V, To-220; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:80V; Transition Frequency Ft:1.5Mhz; Power Dissipation Pd:90W; Dc Collector Current:10A; Dc Current Gain Hfe:15Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Onsemi BD809G

Newark

Bilder

Farnell

Future Electronics

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

BD809G.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-220-3

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight4.535924 g

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)80 V

Collector Emitter Breakdown Voltage80 V

Collector Emitter Saturation Voltage1.1 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V

Current Rating10 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)5 V

Frequency1.5 MHz

Gain Bandwidth Product1.5 MHz

hFE Min15

Max Breakdown Voltage80 V

Max Collector Current10 A

Max Frequency1 MHz

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation90 W

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PolarityNPN

Power Dissipation90 W

Schedule B8541290080

Transition Frequency1.5 MHz

Voltage Rating (DC)80 V

Dimensions

Height15.75 mm

Length10.28 mm

Width4.82 mm

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