onsemi BD681S
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$ 0.457
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Stock
147,760
669,970
669,970
Authorized Distributors
2
6
6
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-126
TO-225
TO-225
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
4 A
4 A
4 A
Transition Frequency
10 MHz
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
2.5 V
2.5 V
hFE Min
750
750
750
Power Dissipation
-
40 W
40 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Verwandte Teile
onsemiKSC3953DSTU
Tube Through Hole NPN KSC3953 Bipolar (BJT) Transistor 60 @ 10mA 10V 200mA 1.3W 400MHz
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi BD681S, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor
BD Series NPN 40 W 100 V 4 A Through Hole Epitaxial Silicon Transistor - TO-126
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans Darlington NPN 100V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bulk
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain Max (hfe):750; No. of Pins:3; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(sat):2.5V;RoHS Compliant: Yes
NPN Epitaxial Silicon Transistor Product Highlights: Medium Power Darlington TR Complement to BD676A, BD678A, BD680A and BD682 respectively
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-126
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Continuous Collector Current4 A
Current Rating4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min750
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Transition Frequency10 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height11 mm
Length8 mm
Width3.25 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen