onsemi BD676G

Medium Power PNP Darlington Bipolar Power Transistor
$ 0.659
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsBD676G3.746
5h
RS (Formerly Allied Electronics)BD676G01Bulk
6h
element14 APACBD676G.01
19h
FarnellBD676G.01
5h
Win SourceWS-BD676G40090
6h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet5 SeitenVor 12 Jahren

Upverter

Farnell

onsemi

Newark

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)

Verwandte Teile

onsemiBD676AG
4.0 A, 45 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
Details
onsemiBD438G
Bulk Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 85 @ 500mA 1V 100muA ICBO 36W 3MHz
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onsemiBD436TG
Tube Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 85 @ 500mA 1V 100muA ICBO 36W 3MHz
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi BD676G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Medium Power PNP Darlington Bipolar Power Transistor
onsemi
BD Series 45 V 4 A Medium Power Silicon PNP Darlington Transistor - TO-225
Future Electronics
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
IHS
ON SEMI BD676G PNP DARLINGTON TRANSISTOR, 4 A 45 V HFE:750, 3-PIN TO-225
RS (Formerly Allied Electronics)
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-225AA; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45V; Transition Frequency ft: 200MHz; Power Dissipation Pd: 40W; DC Collector Current: 4A; DC Current Gain hFE: 750hFE; Transistor
Farnell
This series of plastic medium-power silicon PNP Darlington transistors can be used as output devices in complementary general-purpose amplifier applications.
North Star Micro
Darlington Transistor, Pnp, -45V, To-225; Transistor, Polaridad:Pnp; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:45V; Frecuencia De Transición Ft:200Mhz; Disipación De Potencia Pd:40W; Corriente De Colector Dc:4A; Núm. De Contactos:3 |Onsemi BD676G
Newark
Transistor Polarity = PNP / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = 4 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 45 / DC Current Gain (hFE) = 750 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 45 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Power Dissipation (Pd) W = 40 / Package Type = TO-225 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Bulk Box / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = 2.5 / Reflow Temperature Max. °C = 260
Distrelec

Bilder

TME
Distrelec
RS
Future Electronics
iiiC
Conrad
Farnell

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BD 676G
  • BD676G.