onsemi BD436TG
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Obsolete
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$ 0.334
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Stock
479,066
319,289
319,289
Authorized Distributors
2
5
5
Mount
-
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-225
TO-126
TO-126
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
32 V
32 V
32 V
Max Collector Current
4 A
4 A
4 A
Transition Frequency
3 MHz
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
-200 mV
-200 mV
hFE Min
50
50
50
Power Dissipation
36 W
36 W
36 W
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2014-06-20
LTD Date2014-12-20
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi BD436TG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 85 @ 500mA 1V 100muA ICBO 36W 3MHz
Trans GP BJT PNP 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Tube
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
BD436TG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-225
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)32 V
Collector Emitter Breakdown Voltage32 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)32 V
Current Rating-4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min50
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation36 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation36 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)-32 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen