onsemi BD438
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Stock
173,959
157,192
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Authorized Distributors
1
2
2
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-126
TO-225
TO-225
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
4 A
4 A
4 A
Transition Frequency
2 MHz
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
700 mV
700 mV
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
36 W
36 W
36 W
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1991-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2006-12-31
LTD Date2007-06-30
Verwandte Teile
Diodes Inc.APT13005SU-G1
HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR | TRANS NPN 450V 3.2A TO126
Diodes Inc.APT13003EU-G1
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 465V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126
Diodes Inc.APT13003SU-G1
Small Signal Bipolar Transistor, 1.3A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi BD438, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bulk Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 85 @ 500mA 1V 4A 36W 3MHz
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Transistor GP BJT PNP 45V 4A 3-Pin TO-126
PNP Transistor 36W 5V 100μA 45V 4A TO-126 TH 13.64mm H
TRANSISTOR, PNP TO-126; Transistor Type:Power General Purpose; Transistor Polarity:PNP; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:45V; Current Ic Continuous a Max:4A; Min Hfe:40; Case Style:TO-126; Current Ic Max:4A; Current Ic hFE:2A; No. of Pins:3; Power, Ptot:36W; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vcbo:45V; ft, Min:3MHz
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-126
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)45 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation36 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation36 W
Transition Frequency2 MHz
Voltage Rating (DC)-45 V
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen