onsemi BD435S
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Obsolete
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$ 0.356
Stock
437,069
421,541
Authorized Distributors
4
3
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-126
TO-225
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
32 V
32 V
Max Collector Current
4 A
4 A
Transition Frequency
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
200 mV
-
hFE Min
50
50
Power Dissipation
36 W
36 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi BD435S, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
6.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor. ONSSPCTRNSTLT1T0R;
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
500mV@ 200mA,2A NPN 36W 5V 100μA 32V 32V 4A TO-126-3 Through hole mounting 8mm*3.25mm*11mm
Trans GP BJT NPN 32V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bulk
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-126
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)32 V
Collector Emitter Breakdown Voltage32 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)32 V
Current Rating4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min50
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation36 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation36 W
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)32 V