onsemi BD13916S
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Obsolete
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Offizielles DatenblattVor 3 Jahren
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Alternative Teile
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Price @ 1000
$ 0.216
$ 0.315
Stock
241,382
373,948
Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-126
TO-126-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
Max Collector Current
1.5 A
1.5 A
Transition Frequency
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
hFE Min
100
100
Power Dissipation
1.25 W
1.25 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-01-07
LTD Date2022-07-07
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi BD13916S, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
1.5 A, 60 V PNP Power Bipolar Junction Transistor. ONSSPCTRNSTLT1T0R;
Transistor BD139 NPN Medium Power Switching 80 Volts 1.5 Amp TO-126
NPN 1.25 W 80 V 1.5 A Through Hole Epitaxial Silicon Transistor - TO-126-3
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
500mV@ 50mA,500mA NPN 1.25W 5V 100nA 80V 80V 1.5A TO-126-3 8mm*3.25mm*1.5mm
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 80V, TO-126-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:1.25W; DC Collector Current:1.5A; DC Current Gain hFE:100hFE; Transi
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-126
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating1.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min100
Max Collector Current1.5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation12.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation1.25 W
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height11 mm
Length8 mm
Width3.25 mm
Datenblätter und Dokumente
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