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onsemi BD139

Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 40 @ 150mA 2V 1.5A 1.25W 80V
Obsolete
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Component Stockers USA
BD139
5.274
USD
0,100
0,090
0,090
0,090
0,090
2d
Esaler Electronic
BD139
1
USD
0,637
0,631
0,625
0,619
0,613
4d
Classic Components
BD139
83
9h
Easev
BD139
3.174
>1wk
Digi-ic_SMART PIONEER
BD139
4.825
100
6d

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi BD139 herunter.

IHS

Datasheet4 SeitenVor 0 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 25 Jahren
Datasheet1 SeiteVor 0 Jahren
Datasheet4 SeitenVor 0 Jahren

onsemi

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
onsemiBD139
onsemiBD139G
onsemiBD139G
Price @ 1000
$ 0.42
$ 0.42
Stock
35,216
329,771
329,771
Authorized Distributors
0
6
6
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-225
TO-225
TO-225
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
1.5 A
1.5 A
1.5 A
Transition Frequency
250 MHz
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
500 mV
hFE Min
25
25
25
Power Dissipation
1.25 W
1.25 W
1.25 W

Lieferkette

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1991-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2006-12-31
LTD Date2007-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi BD139, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 40 @ 150mA 2V 1.5A 1.25W 80V
AAA CHIPS
1.5 A, 80 V NPN Power Bipolar Junction Transistor
onsemi
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
IHS
Bipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier
Digi-ic_SMART PIONEER
TRANSISTOR, NPN TO-126; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 12.5W; DC Collector Current: 1.5A; DC Current Gain hFE: 25hFE; Transistor Case Style:
Farnell
TRANSISTOR, NPN TO-225AA; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Power Dissipation Pd:12.5W; DC Collector Current:1.5A; DC Current Gain hFE:25; Operating Temperature Range:-55°C to 150°C; Transistor Case Style:TO-225AA; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Av Current Ic:1.5A; Continuous Collector Current Ic Max:1.5A; Current Ic Continuous a Max:1.5A; Current Ic hFE:150mA; Full Power Rating Temperature:25°C; Hfe Min:40; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-225AA; Power Dissipation Ptot Max:12.5W; Transistor Type:Power Bipolar; Voltage Vcbo:100V
element14 APAC

Bilder

Farnell
Conrad
Newark
Master Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd