onsemi BD13516STU

Name: onsemi BD13516STU
Brand: onsemi
SKU: BD13516STU

1.5 A, 45V NPN Power Bipolar Junction Transistor. ONSSPCTRNSTLT1T0R;

$ 0.327

Production

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Avnet	BD13516STU	3.840	3840						0,262	12h
Newark	BD13516STU	203	1		1,270	0,952	0,629	0,473	0,412
Rochester Electronics	BD13516STU	528					0,339	0,281	0,251	9h
DigiKey	BD13516STUOS-ND	111	1	Tube	1,170	1,170	0,526	0,369	0,277
Onlinecomponents.com	BD13516STU	0	100	Bulk			0,298	0,285	0,252

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IHS

Datasheet6 SeitenVor 4 Jahren

Datasheet5 SeitenVor 12 Jahren

Master Electronics

onsemi

Fairchild Semiconductor

Farnell

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onsemiBD13516STU

STMicroelectronicsBD135-16

Price @ 1000

$ 0.327

$ 0.224

Stock

230,231

521,082

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-126

SOT-32

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

45 V

Max Collector Current

1.5 A

Transition Frequency

250 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

500 mV

hFE Min

100

Power Dissipation

1.25 W

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2000-12-20

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi BD13516STU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

1.5 A, 45V NPN Power Bipolar Junction Transistor. ONSSPCTRNSTLT1T0R;

Avnet

BD135 Series 45 V 1.5 A Through Hole NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-126

Future Electronics

Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin

IHS

Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail

Verical

Trans, Npn, 45V, 1.5A, 150Deg C, 12.5W Rohs Compliant: Yes |Onsemi BD13516STU

Newark

Bilder

TME

Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-126

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight761 mg

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)45 V

Collector Emitter Breakdown Voltage45 V

Collector Emitter Saturation Voltage500 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V

Current Rating1.5 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)5 V

hFE Min100

Max Collector Current1.5 A

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation13 W

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PolarityNPN

Power Dissipation1.25 W

Transition Frequency250 MHz

Voltage Rating (DC)45 V

Dimensions

Height11.2 mm

Length8.3 mm

Width3.45 mm

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