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Alternative Teile

Dieser Teil

Alternative Teile

onsemiBCW33LT1G

NexperiaBCW33,215

Price @ 1000

$ 0.041

$ 0.061

Stock

1,219,281

850,476

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23-3

SOT-23

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

32 V

Max Collector Current

100 mA

Transition Frequency

100 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

250 mV

hFE Min

420

Power Dissipation

300 mW

250 mW

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1997-04-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 days ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi BCW33LT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

ON SEMI BCW33LT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 32 V, 3-PIN SOT-23

RS (Formerly Allied Electronics)

32V 225mW 420@2mA,5V 100mA NPN SOT-23-3 Bipolar (BJT) ROHS

EBEE

NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB

ComSIT Distribution GmbH

BCW Series 32 V 100 mA SMT NPN Silicon General Purpose Transistor - SOT-23

Future Electronics

250mV@ 500µA,10mA NPN 300mW 5V 100nA 32V 32V 100mA SOT-23-3，TO-236 SMD mount 2.9mm*1.3mm*940μm

UnikeyIC

NPN BJT, 32V, 100mA, SOT-23-3 Transistor

Onzuu

Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

Verical

Transistor Polarity:npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:32V; Dc Collector Current:100Ma; Power Dissipation Pd:300Mw; Transistor Mounting:surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency Ft:-; Dc Current Gain Hfe:420Hfe Rohs Compliant: Yes

Newark

Bilder

TME

Farnell

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

Future Electronics

TME

LZChips

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

BCW33LT1G.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: +13.15%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

1 Teil verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-23-3

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)32 V

Collector Emitter Breakdown Voltage32 V

Collector Emitter Saturation Voltage250 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)32 V

Current Rating100 mA

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)5 V

hFE Min420

Max Breakdown Voltage32 V

Max Collector Current100 mA

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation300 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

PolarityNPN

Power Dissipation300 mW

Schedule B8541210080

Voltage Rating (DC)32 V

Dimensions

Height940 µm

Length2.9 mm

Width1.3 mm