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Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi BC857CDW1T1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

BC857CDW1T1G - 45 V 100 mA Dual PNP General Purpose Transistor - SOT-363

Future Electronics

ON SEMI BC857CDW1T1G PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 45 V, 6-PIN SOT-363

RS (Formerly Allied Electronics)

PNP DUAL GENERAL PURPOSE TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon

ComSIT Distribution GmbH

Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -4;

Newark

TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363 / Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R

Win Source

ON SEMICONDUCTOR - BC857CDW1T1G - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 380 mW, -100 mA, 270 hFE

Jak Electronics

onsemi PNP Transistor SOT-363 (SC-88) SMD -100mA -45V

UnikeyIC

These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which is designed for low power surface mount applications.

North Star Micro

TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -45V, SOT-363-6; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -45V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 380mW; DC Collector Current: -100mA; DC Current Gain hFE: 270h

Farnell

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -79.05%

CAD-Modelle

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Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-363-6

Contact PlatingTin

Number of Pins6

Number of Terminals6

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)50 V

Collector Emitter Breakdown Voltage45 V

Collector Emitter Saturation Voltage-650 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V

Current Rating-100 mA

Element ConfigurationDual

Emitter Base Voltage (VEBO)5 V

Frequency100 MHz

Gain Bandwidth Product100 MHz

hFE Min420

Max Breakdown Voltage45 V

Max Collector Current100 mA

Max Frequency100 MHz

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation380 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements2

PackagingTape and Reel

PolarityPNP

Power Dissipation380 mW

Schedule B8541210080

Transition Frequency100 MHz

Voltage Rating (DC)-45 V

Dimensions

Height1.1 mm

Length2.2 mm

Width1.35 mm

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi BC857CDW1T1G herunter.