onsemi BC856BLT3G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | 45J0601 | 10.000 | 20K | 2d | ||||||||
| Newark | BC856BLT3G | 10.000 | 20K | Tape & Reel | ||||||||
| Rochester Electronics | BC856BLT3G | 12 | 23h | |||||||||
| Onlinecomponents.com | BC856BLT3G | 0 | 10K | Bulk | ||||||||
| Future Electronics | BC856BLT3G | 0 | 10K | Tape & Reel |
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Stock
2,902,828
2,317,483
2,317,483
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-65 V
-
-
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-650 mV
-650 mV
-650 mV
hFE Min
220
220
220
Power Dissipation
225 mW
300 mW
300 mW
Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiBC856BLT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.DDTA114ECA-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Diodes Inc.DDTA114YCA-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.DDTA113ZCA-7-F
DDTA Series 200 mW 1 KO / 10 KO PNP Pre-Braised Small Signal Transistor - SOT-23
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi BC856BLT3G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
BC856 Series 65 V 100 mA 225 mW Surface Mount PNP Transistor - SOT-23
ON SEMI BC856BLT3G PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 65 V, 3-PIN SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
650mV@ 5mA,100mA PNP 300mW 5V 15nA 80V 65V 100mA SOT-23-3,TO-236 2.9mm*1.3mm*1mm
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
65V 225mW 100mA 290@2mA5V 100MHz 650mV@100mA5mA PNP -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -65V, SOT-23-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-65V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:220hF
Transistor, Bipol, Pnp, -65V, Sot-23-3; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:65V; Continuous Collector Current:100Ma; Power Dissipation:225Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi BC856BLT3G
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-65 V
Collector Emitter Saturation Voltage-650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min220
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation225 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-65 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen