onsemi BC846BDW1T1G

Name: onsemi BC846BDW1T1G
Brand: onsemi
SKU: BC846BDW1T1G

Bipolar Transistors (BJT); BC846BDW1T1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 6; 65 V; 100 mA

$ 0.043

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	3	BC846BDW1T1G	14.889.000	3K	Tape & Reel					0,022
Avnet	3	BC846BDW1T1G	1.020.000	3K						0,020	5h
Newark	3	BC846BDW1T1G	4.848	1	Cut Tape	0,024	0,024	0,024	0,024	0,024
Verical	6	BC846BDW1T1G	693.000	3K						0,016
Arrow Electronics	4	BC846BDW1T1G	46.275	1		0,102	0,063	0,039	0,021	0,021

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Newark

Datasheet11 SeitenVor 9 Jahren

IHS

Future Electronics

Farnell

element14 APAC

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onsemiBC846BDW1T1G

onsemiBC846BDW1T1

Price @ 1000

$ 0.043

$ 0.025

Stock

62,147,149

391,613

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

SOT-363-6

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

65 V

Max Collector Current

100 mA

Transition Frequency

100 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

600 mV

hFE Min

200

Power Dissipation

380 mW

Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi BC846BDW1T1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar Transistors (BJT); BC846BDW1T1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 6; 65 V; 100 mA

Maritex

Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual NPN, 65 V, 100 mA, 380 mW

Avnet

ON SEMI BC846BDW1T1G DUAL NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 65 V, 6-PIN SC-88

RS (Formerly Allied Electronics)

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon

IHS

BC846BDW1 Series Dual NPN 65 V 100 mA SMT General Purpose Transistor - SOT-363

Future Electronics

65V 380mW 200@2mA,5V 100mA 2 NPN SOT-323-6 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

General Purpose Transistors Dual NPN Ic=100mA Vceo=65V hfe=200~450 P=380mW SOT363

HQonline

These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which is designed for low power surface mount applications.

North Star Micro

Bipolar Transistor, Npn, Dual, 65V, Sot363, Full Reel; Transistor Polarity:Dual Npn; Collector Emitter Voltage Max Npn:65V; Collector Emitter Voltage Max Pnp:-; Continuous Collector Current Npn:100Ma; Power Dissipation Npn:380Mw Rohs Compliant: Yes |Onsemi BC846BDW1T1G.

Newark

Bilder

Rochester Electronics

Electro Sonic

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

BC846BDW1T1G.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-363-6

Contact PlatingTin

Number of Pins6

Number of Terminals6

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)80 V

Collector Emitter Breakdown Voltage65 V

Collector Emitter Saturation Voltage600 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V

Current Rating100 mA

Element ConfigurationDual

Emitter Base Voltage (VEBO)6 V

Frequency100 MHz

Gain Bandwidth Product100 MHz

hFE Min200

Max Breakdown Voltage65 V

Max Collector Current100 mA

Max Frequency100 MHz

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation380 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements2

PackagingTape and Reel

PolarityNPN

Power Dissipation380 mW

Schedule B8541210080

Transition Frequency100 MHz

Voltage Rating (DC)65 V

Dimensions

Height900 µm

Length2 mm

Width1.25 mm