onsemi BC807-16LT1G

Name: onsemi BC807-16LT1G
Brand: onsemi
SKU: BC807-16LT1G

Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount

$ 0.04

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	BC807-16LT1G	2.900	1	Cut Tape	0,166	0,102	0,065	0,044	0,044
Verical	3	BC807-16LT1G	246.000	3K						0,027
Arrow Electronics	2	BC807-16LT1G	11.796	1		0,140	0,093	0,059	0,035	0,030
Future Electronics	6	BC807-16LT1G	133	1	Cut Tape	0,152	0,152	0,087	0,066	0,042
Master Electronics		BC807-16LT1G	45.000	3K						0,025

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IHS

Datasheet12 SeitenVor 3 Jahren

Upverter

Farnell

element14 APAC

Newark

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onsemiBC807-16LT1G

Diodes Inc.BC807-16-7-F

Price @ 1000

$ 0.04

$ 0.066

Stock

4,880,172

2,037,808

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23-3

SOT-23

Polarity

PNP

Collector Emitter Breakdown Voltage

45 V

Max Collector Current

500 mA

Transition Frequency

100 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

700 mV

-700 mV

hFE Min

100

Power Dissipation

300 mW

310 mW

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1991-03-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi BC807-16LT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount

Avnet Silica

Bipolar Transistors (BJT); BC807-16LT1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 3; 45 V; 500 mA

Maritex

45V 300mW 100@100mA,1V 500mA PNP SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236

IHS

Trans GP BJT PNP 45V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Rotakorn

General Purpose Transistors PNP Ic=500mA Vceo=45V hfe=100~250 P=300mW SOT23

HQonline

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;

Farnell

BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -45V, SOT-23; T; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -45V, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector

element14 APAC

Transistor Polarity = PNP / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 500 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 45 / DC Current Gain (hFE) = 100 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 50 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 100 / Power Dissipation (Pd) mW = 225 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 700 / Reflow Temperature Max. °C = 260

Distrelec

Bilder

RS (Formerly Allied Electronics)

Distrelec

TME

LZChips

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

BC807-16LT1G.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-23-3

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)50 V

Collector Emitter Breakdown Voltage45 V

Collector Emitter Saturation Voltage700 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)5 V

Frequency100 MHz

Gain Bandwidth Product100 MHz

hFE Min100

Max Breakdown Voltage45 V

Max Collector Current500 mA

Max Frequency100 MHz

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation300 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

PolarityPNP

Power Dissipation300 mW

Schedule B8541210080

Transition Frequency100 MHz

TypeGeneral Purpose

Dimensions

Height940 µm

Length2.9 mm

Width1.3 mm

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