onsemi BC558BTA
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Flip Electronics | BC558BTA | 40.000 | 7d | |||||||||
| Avnet | BC558BTA | 0 | 25K | 5d | ||||||||
| Farnell | BC558BTA. | 0 | 5 | Cut Tape | 9h | |||||||
| Win Source | WS-BC558BTA | 9.000 | 1500 | 9h | ||||||||
| Worldway Electronics | BC558BTA | 25.947 | 7 | Tape & Reel | 8h |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Alternative Teile
Dieser Teil
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Price @ 1000
$ 0.044
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Stock
213,997
396,078
396,078
Authorized Distributors
3
2
2
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-92
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
30 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
150 MHz
360 MHz
360 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-250 mV
-300 mV
-300 mV
hFE Min
200
180
180
Power Dissipation
500 mW
625 mW
625 mW
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-07-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-01-24
LTD Date2020-07-24
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi BC558BTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC558 Series 30 V 100 mA Through Hole PNP Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold / TRANS PNP 30V 0.1A TO-92
100 mA, 45 V, PNP Bipolar Juction Transistor. ONSSPCTRNSTVU6M5P;
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -30V, TO-92-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -30V; Transition Frequency ft: 150MHz; Power Dissipation Pd: 500mW; DC Collector Current: -100mA; DC Current Gain hFE: 200hFE
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage-250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency10 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation500 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
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