onsemi BC557CZL1G
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Stock
257,626
928,178
928,178
Authorized Distributors
3
2
2
Mount
-
-
-
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
320 MHz
320 MHz
320 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-300 mV
-300 mV
-300 mV
hFE Min
420
420
420
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
Lieferkette
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2015-05-08
LTD Date2015-12-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiBC557BRL1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi BC557CZL1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo
Tape & Box (TB) Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 420 @ 2mA 5V 100nA 625mW 320MHz
TRANSISTOR, PNP, -45V, -100MA, TO-92-3
TRANSISTOR, PNP, -45V, -100MA, TO-92-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -45V; Transition Frequency ft: 320MHz; Power Dissipation Pd: 1.5W; DC Collector Current: -100mA; DC Current Gain hFE: 420hFE
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage-300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency320 MHz
Gain Bandwidth Product320 MHz
hFE Min420
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency320 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency320 MHz
Voltage Rating (DC)-45 V
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen