onsemi BC548BRL1G
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$ 0.047
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560,654
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Authorized Distributors
4
6
6
Mount
-
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92
TO-92
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
30 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
250 mV
250 mV
hFE Min
200
200
200
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
Lieferkette
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2015-05-08
LTD Date2015-12-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiBC548BZL1G
Tape & Box (TB) Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 2mA 5V 15nA 625mW 300MHz
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi BC548BRL1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Npn, 30 V, 300 Mhz, 1.5 W, 100 Ma, 200 |Onsemi BC548BRL1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Tape & Reel (TR) Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 2mA 5V 15nA 625mW 300MHz
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
NPN 625mW 6V 15nA 30V 30V 100mA TO-226，TO-92 Through hole mounting 5.2mm*4.19mm*5.33mm
TRANSISTOR, NPN, 30V, 100MA, TO-92-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 1.5W; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 200hFE; Tr
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
Number of Pins3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency300 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height5.33 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen