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Alternative Teile

Dieser Teil

Alternative Teile

onsemiBC33716BU

onsemiBC33716TA

Price @ 1000

$ 0.063

$ 0.07

Stock

915,097

3,411,362

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-92

TO-92-3

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

45 V

Max Collector Current

800 mA

Transition Frequency

100 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

700 mV

hFE Min

100

Power Dissipation

625 mW

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2002-07-26

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi BC33716BU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

Abacus Technologies

BC337 Series 45 V CE Breakdown .8 A NPN Epitaxial Silicon Transistor TO-92

Future Electronics

Transistor GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin TO-92 Bulk

Avnet Japan

Bipolar Transistors - BJT NPN 45V 800mA HFE/250

Digi-ic_SMART PIONEER

General Purpose Transistor, TO-92, NPN, 45V

Distrelec

45V 625mW 800mA 100@100mA1V 100MHz 700mV@500mA50mA NPN +150¡Í@(Tj) TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

onsemi NPNTransistor, TO-92encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current800mA, maximum collector-emission voltage45 V

UnikeyIC

TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, TO-92-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 625mW; DC Collector Current: 800mA; DC Current Gain hFE: 60hFE; Tr

Farnell

This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from Process 12. See TN3019A for characteristics.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Rochester Electronics

Conrad

Distrelec

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

BC33716BU.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -100%

CAD-Modelle

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Alternative Teile

1 Teil verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-92

Contact PlatingTin

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight179 mg

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)50 V

Collector Emitter Breakdown Voltage45 V

Collector Emitter Saturation Voltage700 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V

Current Rating800 mA

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)5 V

Frequency100 MHz

Gain Bandwidth Product210 MHz

hFE Min100

Max Collector Current800 mA

Max Frequency100 MHz

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation625 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingBulk

PolarityNPN

Power Dissipation625 mW

Schedule B8541210080

Transition Frequency100 MHz

Voltage Rating (DC)45 V

Dimensions

Height5.33 mm

Length4.58 mm

Width3.86 mm

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi BC33716BU herunter.