onsemi BC307B
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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$ 0.099
Stock
438,245
820,918
Authorized Distributors
2
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
130 MHz
280 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
-300 mV
hFE Min
180
200
Power Dissipation
1 W
350 mW
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1991-10-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2006-12-31
LTD Date2007-06-30
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi BC307B, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bulk Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 2mA 5V 100mA 350mW 130MHz
PNP 350mW 5V 15nA 50V 45V 100mA TO-226，TO-92 Through hole mounting 5.2mm*4.19mm*5.33mm
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin TO-92 T/R
TRANSISTOR; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45V; Transition Frequency ft: 130MHz; Power Dissipation Pd: 500mW; DC Collector Current: -100mA; DC Current Gain hFE: 120hFE; Transistor Case Style: TO-9
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency130 MHz
Gain Bandwidth Product280 MHz
hFE Min180
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency280 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Transition Frequency130 MHz
Voltage Rating (DC)-45 V
Dimensions
Height5.33 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen