onsemi BC182AG
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Stock
284,492
501,722
Authorized Distributors
1
1
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
200 MHz
150 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
200 mV
600 mV
hFE Min
120
80
Power Dissipation
-
1 W
Lieferkette
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2006-12-31
LTD Date2007-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiFJN3304RBU
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi BC182AG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 2mA 5V 15nA ICBO 350mW 200MHz
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Compliant Through Hole 120 NPN Lead Free Bulk TO-92-3 100 mA
Transistor Silicon Plastic NPN
BC182AG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min120
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen