onsemi ATP302-TL-H
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-06-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2021-07-05
LTD Date2022-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
InfineonIRF2807PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 13 Milliohms;ID 82A;TO-220AB;PD 230W;gFS 38S
InfineonIRF2807SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 13 Milliohms;ID 82A;D2Pak;PD 230W;VGS +/-20V
STMicroelectronicsSTP78N75F4
N-channel 75 V, 0.008 Ω, 78 A TO-220, DPAK STripFET™2; DeepGATE™2; Power MOSFET
NXP SemiconductorsBUK6510-75C,127
Trans MOSFET N-CH 75V 77A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi ATP302-TL-H, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
P-Channel 60 V 13 mOhm 70 W Surface Mount Power Mosfet - ATPAK
ATP302-TL-H P-channel MOSFET Transistor, 70 A, 60 V, 3-Pin ATPAK
MOSFET, P-CH, -60V, -70A, ATPAK; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -70A; Drain Source Voltage Vds: -60V; On Resistance Rds(on): 0.01ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -2.6V;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin Bismuth
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)70 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time500 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation70 W
Rds On Max13 mΩ
Resistance13 mΩ
Rise Time430 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time420 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length6.5 mm
Width7.3 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen