onsemi ATP208-TL-H
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Obsolete
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Offizielles DatenblattVor 2 Jahren
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-06-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Verwandte Teile
InfineonBSC050N04LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 85 A, 0.0042 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
NXP SemiconductorsBUK654R8-40C,127
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi ATP208-TL-H, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
ATP208-TL-H N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 90 A, 40 V, 3-PIN ATPAK
Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
N-Channel Power MOSFET, 40V, 90A, 6mΩ
N-Channel Power MOSFET, 40V, 90A, 6mOhm, Single ATPAK
MOSFET, N CH, 40V, 90A, ATPAK; Transistor Polarity:N; Max Current Id:90A; Max Voltage Vds:40V; On State Resistance:4.6mohm; Rds Measurement Voltage:10V; Max Voltage Vgs:20V; Power Dissipation:60W; Transistor Case Style:ATPAK; No. of Pins:3; Termination Type:SMD
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin Bismuth
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time200 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.51 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation60 W
Rds On Max6 mΩ
Resistance6 mΩ
Rise Time400 ns
Turn-Off Delay Time280 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length6.5 mm
Width7.3 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen