Infineon BSC050N04LSGATMA1
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6
3
3
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
-
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
18 A
18 A
18 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
5 mΩ
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
57 W
3.1 W
3.1 W
Input Capacitance
2.8 nF
-
-
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Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 11A Ta 90A Tc 90A 2.25W 12ns
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSC050N04LSGATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 85 A, 0.0042 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
OptiMOS™ 40V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control and fast switching DC-DC converter.
MOSFET, N CH, 85A, 40V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:85A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):4.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:57W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:85A; Power Dissipation Pd:57W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 85 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 40 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 5 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 4.2 / Rise Time ns = 3.8 / Turn-OFF Delay Time ns = 26 / Turn-ON Delay Time ns = 6.4 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SuperSO8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 57
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Resistance7.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.8 nF
Max Dual Supply Voltage40 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation57 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance5 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation57 W
Rds On Max5 mΩ
Rise Time3.8 ns
Schedule B8541290080
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen