onsemi AFGB40T65SQDN
$ 2.666
Production
Preis und Lagerbestand
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CAD-Modelle
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0 Teile verfügbar
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen | |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-04-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi AFGB40T65SQDN, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IGBT, 650V FS4 High speed version, for OBC application in D2pak 650V, 40A, D2PAK
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Insulated Gate Bipolar Transistor
Igbt, 650V, 80A, 238W, To-263; Dc Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.6V; Power Dissipation Pd:238W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:650V; Transistor Case Style:To-263; No. Of Pins:3Pins; Rohs Compliant: Yes |Onsemi AFGB40T65SQDN
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.14%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Continuous Collector Current80 A
Max Collector Current80 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation238 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation238 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time75.2 ns
Turn-On Delay Time17.6 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen