onsemi 2SD1816T-TL-H
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-06-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemi2SD1815S-TL-E
Bipolar Transistor 100V 3A VCE(sat);400mV max. NPN Single TP/TP-FA , h FE 140 - 280
Diodes Inc.ZXTN04120HKTC
1.5V@ 1mA,1A NPN - Darlington 3.9W 14V 100nA 140V 120V 1.5A TO-252-3 SMD mount
ROHM2SD1733TLP
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SD1733TLR
NPN Transistor, CPT-3, SMD, 400mV@20mA/500mA, 1W, 5V, 1μA, 120V, 80V, 1A, 6.5mm × 5.5mm × 2.3mm
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi 2SD1816T-TL-H, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar Transistor, 100V, 4A, Low VCE(sat), NPN Single
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252
Bip Transistor 100V, 4A VCE(sat);400mV max. NPN Single TP/TP-FA
ON SEMI 2SD1816T-TL-H NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 4 A, 100 V, 3-PIN TP-FA
Transistor, Npn, 100V, 4A, 20W, To-252; |Onsemi 2SD1816T-TL-H
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) TP-FA T/R
onsemi NPN Transistor, TP-FA Package, SMD, 4A, 100V
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
hFE Min200
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current4 A
Max Frequency180 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Transition Frequency180 MHz
Dimensions
Height2.3 mm
Length6.5 mm
Width5.5 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen