onsemi 2SD1816S-E
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Stock
87,223
174,980
Authorized Distributors
2
3
Mount
-
-
Case/Package
TO-251-3
TO-251-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
Max Collector Current
4 A
4 A
Transition Frequency
180 MHz
180 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-
-
hFE Min
140
140
Power Dissipation
1 W
-
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-06-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 20 hours ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 20 hours ago)
Verwandte Teile
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Bipolar Transistor 100V 3A VCE(sat);400mV max. NPN Single TP/TP-FA , h FE 140 - 280
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Bipolar Transistor 100V 3A VCE(sat);400mV max. NPN Single TP/TP-FA , h FE 200 - 400
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Bulk Through Hole NPN SINGLE Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 500mA 5V 1muA ICBO 1W 180MHz
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi 2SD1816S-E, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar Transistor, 100V, 4A, Low VCE(sat), NPN Single
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251
Bip Transistor 100V, 4A VCE(sat);400mV max. NPN Single TP/TP-FA
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin Bismuth
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency180 MHz
Gain Bandwidth Product130 MHz
hFE Min140
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency180 MHz
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen