onsemi 2SD1623T-TD-E
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemi2SD1623S-TD-E
Bipolar Transistor, 50V, 2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP hFE 140-280
PanasonicDSC7004S0L
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-243AA
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi 2SD1623T-TD-E, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar Transistor, 50V, 2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP hFE 200-400
50V 500mW 2A 150MHz 150mV@1A50mA NPN +150¡Í@(Tj) SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bipolar Transistors (BJT); 2SD1623T-TD-E; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 50 V; 2 A
2SD1623 Series 50 V 2 A 500 mW Surface Mount Bipolar Transistor - PCP
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Bip TR 50 V 2A VCE(sat);0.4V max. NPN Single PCP, h FE 200-400
TRANSISTOR, NPN, 50V, 2A, SOT89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Typ Gain Bandwidth ft:150MHz; Power Dissipation Pd:1.3W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:400; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Pins3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage150 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current2 A
Max Frequency150 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation500 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency150 MHz
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen