onsemi 2SC6096-TD-E
$ 0.283
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | 2SC6096-TD-E | 3.000 | 3334 | 5d | ||||||||
| Rochester Electronics | 2SC6096-TD-E | 43 | 1d | |||||||||
| Flip Electronics | 2SC6096-TD-E | 3.000 | 7d | |||||||||
| Newark | 2SC6096-TD-E | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Onlinecomponents.com | 2SC6096-TD-E | 0 | 1K | Bulk |
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CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi 2SC6096-TD-E, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar Transistor, 100V, 2A, Low VCE(sat), NPN Single PCP
2SC Series NPN 1.3 W 100 V 2 A Surface Mount Switching Transistor - SOT-89
Bipolar Transistor, NPN, 100 V, 2.0 A
Trans GP BJT NPN 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
TRANSISTOR, NPN, 100V, 2A, SOT-89; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 3.5W; DC Collector Current: 2A; DC Current Gain hFE: 300hFE; Transis
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage100 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6.5 V
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min300
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Transition Frequency300 MHz
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen