onsemi 2SC4134S-E
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2019-07-31
LTD Date2020-01-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi 2SC4134S-E, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 140 @ 100mA 5V 1A 800mW 120MHz
Bipolar Transistor, 100V, 1A, Low VCE(sat), NPN Single TP/TP-FA
Bip Transistor 100V 1A VCS(sat);0.4V max. NPN Single TP/TP-FA
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, NPN
Trans GP BJT NPN 100V 1A 3-Pin(3+Tab) TP Bag
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
Number of Pins3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 mV
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency120 MHz
hFE Min140
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation10 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation800 mW
Transition Frequency120 MHz
Datenblätter und Dokumente
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