onsemi 2SB817C-1E
Obsolete
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | 3D | Herunterladen | |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-01-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2019-10-17
LTD Date2020-04-17
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi 2SB817C-1E, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar Transistor, -140V, -12A, Low VCE(sat) PNP TO-3P-3L
Trans GP BJT PNP 140V 12A 2500mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-247, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 12A 140V
TRANS, BIPOL, PNP, -140V, TO-247; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -140V; Transition Frequency ft: 10MHz; Power Dissipation Pd: 120W; DC Collector Current: -12A; DC Current Gain hFE: 35hFE; Transis
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)160 V
Collector Emitter Breakdown Voltage140 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)140 V
Continuous Collector Current12 A
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency10 MHz
hFE Min35
Max Collector Current12 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation120 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation2.5 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency10 MHz
Datenblätter und Dokumente
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