onsemi 2N6520RLRAG
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Obsolete
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1 Teil verfügbar
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Price @ 1000
$ 0.208
$ 0.07
Stock
1,129,174
498,225
Authorized Distributors
4
6
Mount
-
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
350 V
350 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
Transition Frequency
40 MHz
40 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
-1 V
hFE Min
15
15
Power Dissipation
625 mW
625 mW
Lieferkette
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi 2N6520RLRAG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Cut Tape (CT) Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 20 @ 50mA 10V 500mA 625mW 200MHz
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
High Voltage PNP Bipolar Transistor
PNP 625mW 5V 50nA 350V 350V 500mA TO-226，TO-92 Through hole mounting 5.2mm*4.19mm*5.33mm
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)350 V
Collector Emitter Breakdown Voltage350 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)350 V
Current Rating-500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min15
Max Breakdown Voltage350 V
Max Collector Current500 mA
Max Frequency200 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency40 MHz
Voltage Rating (DC)-350 V
Dimensions
Height5.33 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen