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CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymbolFußabdruck |
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.282
Stock
43,049
85,338
Authorized Distributors
0
2
Mount
-
-
Case/Package
TO-225
TO-225
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
350 V
350 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
Transition Frequency
10 MHz
10 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
10 V
1 V
hFE Min
5
5
Power Dissipation
20 W
20 W
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1983-08-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi 2N5657, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
0.5 A, 350 V NPN Bipolar Power Transistor
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-225
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Power Dissipation:20W; C-E Breakdown Voltage:350V; DC Current Gain Min (hfe):5; Collector Current:0.5A; Package/Case:Case 77; DC Current Gain Max (hfe):250 RoHS Compliant: No
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-225
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)375 V
Collector Emitter Breakdown Voltage350 V
Collector Emitter Saturation Voltage10 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)350 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency10 MHz
Gain Bandwidth Product10 MHz
hFE Min5
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature140 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation20 W
Transition Frequency10 MHz
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen