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Price @ 1000
$ 0.132
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Stock
167,190
330,168
330,168
Authorized Distributors
1
2
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
TO-92-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
25 mA
-
-
Drain to Source Resistance
60 Ω
60 Ω
60 Ω
Power Dissipation
310 mW
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
35 V
35 V
35 V
Input Capacitance
10 pF
10 pF
10 pF
Lieferkette
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemi2N5639RLRAG
310mW 1individualNChannel 30V 60Ω 25mA 10pF @ 12V (VGS) 35V TO-92-3 Through hole mounting
onsemi2N5638RLRAG
310mW 1individualNChannel 30V 30Ω 50mA 10pF @ 12V (VGS) 35V TO-92-3 Through hole mounting
onsemi2N5638RLRA
310mW 1individualNChannel 30V 30Ω 50mA 10pF @ 12V (VGS) 35V TO-92-3 Through hole mounting
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi 2N5639G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
JFET N-CH 35V 0.31W TO92
310mW 35V 1individualNChannel 30V 60Ω 25mA 25mA Freestanding 10pF @ 12V (VGS) 35V TO-92-3 Through hole mounting
Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226AA
2N5639G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Breakdown Voltage35 V
Continuous Drain Current (ID)25 mA
Current Rating10 mA
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance60 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)35 V
Input Capacitance10 pF
Max Junction Temperature (Tj)135 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation310 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation310 mW
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height7.87 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen