onsemi 1SMB24AT3G
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Verwandte Teile
LittelfuseTPSMA6L24A
TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO221AC / 38.9V Clamp 15.5A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-221AC
Diodes Inc.SMBJ24A-13-F
SMBJ24A Series 600 W 24 V Surface Mount Uni-Directional TVS Diode - DO-214AA
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi 1SMB24AT3G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Diode TVS Single Uni-Dir 24V 600W Automotive Medical 2-Pin SMB T/R
Transient Voltage Suppressor, Unidirectional, 24 V, 600 Watt
600 WATT PEAK POWER ZENER UNIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 24V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode; Reverse Stand-Off Voltage, VRWM:24V; Breakdown Voltage Max:28.1V; Clamping Voltage Max, Vc:38.9V; Package/Case:SMB; Breakdown Voltage, Vbr:28.1V; Capacitance, Cd:675pF ;RoHS Compliant: Yes
DIODE, TVS; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:24V; Breakdown Voltage Range:26.7V to 29.5V; Clamping Voltage Vc Max:38.9V; Diode Configuration:Unidirectional; Peak Pulse Current Ippm:15.4A; Diode Case Style:SMB; No. of Pins:2; Power Dissipation Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Breakdown Voltage:28.1V; Capacitance Cd @ Vr Typ:675pF; Diode Type:TVS, Unidirectional; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Package / Case:SMB; Peak Pulse Power:600W; Power Dissipation Pd:3W; Stand-off Voltage:24V; Termination Type:SMD
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSMB
Contact PlatingTin
Number of Pins2
Number of Terminals2
Technical
Breakdown Voltage28.1 V
Capacitance675 pF
Clamping Voltage38.9 V
CompositionZener
Current154 A
DirectionUnidirectional
Element ConfigurationSingle
ESD ProtectionYes
Leakage Current5 µA
Max Breakdown Voltage29.5 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation550 mW
Max Reverse Leakage Current5 µA
Max Surge Current15.4 A
Min Breakdown Voltage26.7 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Number of Unidirectional Channels1
Operating Supply Voltage24 V
PackagingTape and Reel
Peak Pulse Current15.4 A
Peak Pulse Power 600 W
PolarityUnidirectional
Power Line ProtectionNo
Power Rating600 W
Reverse Breakdown Voltage26.7 V
Reverse Standoff Voltage24 V
TerminationSMD/SMT
Test Current1 mA
Voltage24 V
Voltage Rating (DC)24 V
Working Voltage24 V
Dimensions
Depth3.56 mm
Height2.28 mm
Length4.32 mm
Width3.95 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen