Omron EE-SV3-D
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Obsolete
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Lieferkette
Introduction Date1994-07-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2026-03-31
LTD Date2026-06-30
Beschreibungen
Beschreibungen von Omron EE-SV3-D, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
850nm Through-Beam 3.4mm 4¦Ìs,4¦Ìs Phototransistor PCB, 19mm*15.1mm*10.4mm
Optical Switches, Transmissive, Phototransistor Output PHOTO MICROSENSOR
Transmissive Types with Phototransistor Output, Coad Soldering, RoHS
Omron SCT
Transistor Output Slotted Switch, 1-Channel, 3.4mm Slot Width
Photointerrupter Transmissive 3.4mm Phototransistor 4-Pin
PHOTO MICROSENSOR | Omron Electronic Components EE-SV3-D
Photo micro sensor interrupters
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT
SENSR OPTO SLOT 3.4MM TRANS THRU
PHOTO TRANSMISSIVE, 3.4MM, TRANSISTOR, PANEL; Sensor Output Type:Phototransistor; Sensor Mounting:Panel / Chassis; Product Range:EE Series; Aperture Width:0.2mm; Forward Current If:50mA; Forward Voltage:1.2V; Gap Width:3.4mm RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Omron verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Omron ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Omron Electronics
- Omron Electronics Inc-EMC Div
- Omron Automation and Safety
- Omron Electronic Components
- OMR
- OMROM
- OMRO
- OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION
- OMRON STI
- OMRON Corporation
- OMRN
- OMRON CORP
- OMRON INDUSTRIAL
- Omron Automation
- OMRON-IA
- OMRON ELECTRONICS INC
- Omron Automation & Safety
- Omron Electronics LLC
- Omron Electronics Inc-IA Div
- Omron Electronics Inc-ECB Div
- OMRON Electronic Components LLC
- OMRON SAFETY
- OMRON ELECTRONI
- OMRONELEC
- OMRON GMBH
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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Technische Spezifikationen
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current200 nA
Fall Time4 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.2 V
Max Collector Current20 mA
Max Operating Temperature85 °C
Min Operating Temperature-25 °C
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
Response Time4 µs
Reverse Breakdown Voltage4 V
Reverse Voltage (DC)4 V
Rise Time4 µs
Schedule B8541408000
Sensing Distance3.4 mm
Wavelength850 nm
Dimensions
Width200 µm
Datenblätter und Dokumente
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