NXP Semiconductors PSMN7R8-120ESQ
$ 1.845
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | PSMN7R8-120ESQ | 430 | 164 | |||||||||
| Rochester Electronics | PSMN7R8-120ESQ | 430 | 11h | |||||||||
| Avnet | PSMN7R8-120ESQ | 0 | 1K | 5d | ||||||||
| Microchip USA | PSMN7R8-120ESQ | 371 | 600 | Bulk | 6d | |||||||
| Worldway Electronics | PSMN7R8-120ESQ | 14.640 | 7 | Bulk | 11h |
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CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-02-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
NXP SemiconductorsBUK7619-100B,118
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
NXP SemiconductorsBUK9E6R1-100E,127
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
Beschreibungen
Beschreibungen von NXP Semiconductors PSMN7R8-120ESQ, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 120 V 7.9 mΩ standard level MOSFET in I2PAK
Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
MOSFET N-channel 120 V 7.9 mo FET
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 120V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
NEXPERIA PSMN7R8-120ESQ - 70A, 1
Aliasnamen des Herstellers
NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.387001 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)70 A
Drain to Source Breakdown Voltage120 V
Drain to Source Resistance7.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.473 nF
Max Dual Supply Voltage120 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation349 W
Min Breakdown Voltage120 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max7.9 mΩ
Rise Time55.3 ns
Turn-Off Delay Time151.8 ns
Turn-On Delay Time45.5 ns
Datenblätter und Dokumente
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