NXP Semiconductors PSMN017-30LL,115
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-06-26
LTD Date2012-12-26
Verwandte Teile
NXP SemiconductorsPSMN5R8-30LL,115
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von NXP Semiconductors PSMN017-30LL,115, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin QFN EP T/R
MOSFET, N CH, 30V, 15A, 8-QFN3333
N-channel DFN3333-8 30 V 17 mΩ logic level MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-873-1
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance17 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance526 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation37 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation37 W
Rds On Max17 mΩ
Rise Time12 ns
Turn-Off Delay Time18.3 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Datenblätter und Dokumente
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