NXP Semiconductors PHT4NQ10LT,135
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date2000-09-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von NXP Semiconductors PHT4NQ10LT,135, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet Transistor, N Channel, 1.75 A, 100 V, 0.2 Ohm, 5 V, 2 V Rohs Compliant: Yes
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.75 A, 0.2 ohm, SOT-223, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
MOSFET, N CH, 100V, 3.5A, SOT223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.75A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:6.9W; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2018); Current Id Max:3.5A; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Packaging:Cut Tape; Termination Type:Surface Mount Device; Transistor Type:Enhancement; Voltage Vds Typ:130V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:5V
Aliasnamen des Herstellers
NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance374 pF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation6.9 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation6.9 W
Rds On Max250 mΩ
Resistance40 MΩ
Rise Time10 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time52 ns
Turn-On Delay Time4 ns
Dimensions
Height1.7 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen