NXP Semiconductors PHE13003C,412
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Verwandte Teile
onsemiKSC2330OBU
Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 70 @ 20mA 10V 100nA ICBO 1W 50MHz
Beschreibungen
Beschreibungen von NXP Semiconductors PHE13003C,412, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 3-Pin SPT Bulk
TRANS NPN 400V 1.5A SOT54
NOW WEEN - PHE13003C - POWER BIP
Aliasnamen des Herstellers
NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-226-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)700 V
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V
hFE Min5
Max Breakdown Voltage400 V
Max Collector Current1.5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation2.1 W
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Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen