NXP Semiconductors PH8030L,115
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-02-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
NXP SemiconductorsPH9030AL,115
Compliant Surface Mount 9 ns Lead Free Tape & Reel (TR) 28 ns 8 mΩ 11 MΩ
NXP SemiconductorsPSMN6R5-25YLC
48W 20V 17.5nC@ 10V,8.4nC@ 4.5V,16nC@ 10V 1N 25V 6.5m¦¸@ 10V 64A 1.093nF@ 12V LFPAK-56
NXP SemiconductorsPH6530AL,115
Compliant Surface Mount Tape & Reel (TR) SOT-669 Single 9.8 mΩ 30 V 30 V
Beschreibungen
Beschreibungen von NXP Semiconductors PH8030L,115, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 30V 76.7A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
76.7 A 30 V 0.0097 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 76.7A I(D), 30V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-channel TrenchMOS logic level FET
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:76.7A; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):4.7mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.7V ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-669
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)76.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.26 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation62.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation62.5 W
Rds On Max5.9 mΩ
Rise Time53 ns
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width4.1 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen