NXP Semiconductors PBSS8110T
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-07-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von NXP Semiconductors PBSS8110T, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Npn, 100 V, 300 Mw, 1 A, 150
100 V, 1 A NPN low VCEsat transistor Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Trans GP BJT NPN 100V 1A 3-Pin TO-236AB
1000 mA 100 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB
Aliasnamen des Herstellers
NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage120 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current1 A
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min80
Max Collector Current1 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation480 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Transition Frequency100 MHz
Voltage100 V
Dimensions
Height1.1 mm