NXP Semiconductors PBSS4350Z
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-07-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von NXP Semiconductors PBSS4350Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
50 V low VCEsat NPN transistor / Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
TRANSISTOR, NPN, SOT-223; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:50V; Current Ic Continuous a Max:3A; Voltage, Vce Sat Max:90mV; Power Dissipation:1.35W; Min Hfe:200; ft, Typ:100MHz; ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage290 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
hFE Min100
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.35 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation1.35 W
Transition Frequency100 MHz
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen