NXP Semiconductors MW6S010NR1
$ 24.393
EOL
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | MW6S010NR1 | 0 | 500 | Cut Tape | ||||||||
| RFMW | MW6S010NR1 | 0 | 1 | 19h | ||||||||
| Avnet | MW6S010NR1 | 0 | 500 | 5d | ||||||||
| Arrow Electronics | MW6S010NR1 | 0 | 500 | |||||||||
| Farnell | MW6S010NR1 | 0 | 500 | Cut Tape | 17h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00
Introduction Date2005-04-12
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-09-30
Verwandte Teile
NXP SemiconductorsMRFE6S9045NR1
Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 880 MHz, 10 W Avg., 28 V
NXP SemiconductorsMRF6V2010NR1
RF Power Transistor,10 to 450 MHz, 10 W, Typ Gain in dB is 23.9 @ 220 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1732
Beschreibungen
Beschreibungen von NXP Semiconductors MW6S010NR1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
RF Power Transistor,450 to 1500 MHz, 10 W, Typ Gain in dB is 18 @ 960 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1732
RF MOSFET, N CHANNEL, 68V, TO-270; Drain Source Voltage Vds:68V; RF Transistor Case:TO-270; MSL:MSL 3 - 168 hours; Termination Type:SMD; Gain:18dB; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Transistor Polarity:N Channel
RF MOSFET, N CHANNEL, 68V, TO-270; Transistor Type:RF FET; Drain Source Voltage, Vds:68V; RF Transistor Case:TO-270; Gain:18dB; Gate-Source Voltage:12V; Leaded Process Compatible:Yes; Operating Frequency Max:900MHz ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-270
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight529.540742 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)125 mA
Current Rating125 mA
Drain to Source Voltage (Vdss)68 V
Frequency960 MHz
Gain17.5 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Frequency1.5 GHz
Max Operating Temperature225 °C
Max Output Power10 W
Max Power Dissipation61.4 W
Min Breakdown Voltage68 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Output Power10 W
PackagingTape and Reel
Power Dissipation61.4 W
Power Gain20 dB
Schedule B8541290080
Test Current125 mA
Test Voltage28 V
Voltage Rating68 V
Voltage Rating (DC)28 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen