NXP Semiconductors MRFG35003N6AT1
$ 13.352
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | MRFG35003N6AT1 | 6.700 | 7h | |||||||||
| UnikeyIC | MRFG35003N6AT1 | 6.338 | 9 | Cut Tape | 7h | |||||||
| Verical | MRFG35003N6AT1 | 700 | 25 | |||||||||
| DigiKey | 568-15040-1-ND | 448 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | MRFG35003N6AT1 | 0 | 260 | Tape & Reel |
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00
Introduction Date2007-07-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2022-05-06
LTD Date2023-05-06
Beschreibungen
Beschreibungen von NXP Semiconductors MRFG35003N6AT1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
RF Power Transistor,500 to 5000 MHz, W, Typ Gain in dB is 10 @ 3550 MHz, 6 to 6 V, GaAs, SOT1811
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET
RF Power Field Effect Transistor
GaAs pHEMT Power FET, 3.5 GHz, 3 W , 6 V, PLD4L
NXP Semiconductors SCT
RF MOSFET PHEMT FET 6V PLD-1.5
Trans JFET 8V GaAs pHEMT 3-Pin PLD-1.5 T/R
Aliasnamen des Herstellers
NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight280.00824 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.9 A
Drain to Source Voltage (Vdss)8 V
Frequency3.55 GHz
Gain10 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)-5 V
Max Operating Temperature85 °C
Min Breakdown Voltage8 V
Number of Elements1
Output Power450 mW
PackagingTape and Reel
Schedule B8541290080
Test Current180 mA
Test Voltage6 V
Voltage Rating8 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen