NXP Semiconductors MRFE6VS25GNR1
$ 42.853
EOL
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RFMW | MRFE6VS25GNR1 | 0 | 1 | 19h | ||||||||
| Future Electronics | MRFE6VS25GNR1 | 0 | 500 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | MRFE6VS25GNR1 | 0 | 500 | 20h | ||||||||
| Arrow Electronics | MRFE6VS25GNR1 | 0 | 500 | |||||||||
| Farnell | MRFE6VS25GNR1 | 0 | 500 | Cut Tape | 4h |
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00
Introduction Date2012-06-14
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-09-30
Beschreibungen
Beschreibungen von NXP Semiconductors MRFE6VS25GNR1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MRFE6VS Series 133 V 512 MHz RF Power LDMOS Transistor - TO-270-2 GULL
RF Power Transistor,1.8 to 2000 MHz, 25 W, Typ Gain in dB is 25.5 @ 512 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1731
Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-2000 MHz, 25 W, 50 V / TR REEL 13" Q2 DP;
FET RF 133V 512MHZ TO-270-2 / Trans RF FET N-CH 133V 3-Pin TO-270 GULL T/R
Tape & Reel (TR) N-CHANNEL Single EAR99 RF Mosfet 10mA 25W 25.4dB 512MHz
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2 GULL
IC SAMPLE RATE CONVERTER 8WLCSP
TRANSISTOR, RF, 133V, TO-270-2; Drain Source Voltage Vds: 133VDC; Continuous Drain Current Id: -; Power Dissipation Pd: -; Operating Frequency Min: 1.8MHz; Operating Frequency Max: 2000MHz; RF Transistor Case: TO-270; No. of P
Aliasnamen des Herstellers
NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-270-2
Number of Terminals2
Weight547.996282 mg
Technical
Drain to Source Breakdown Voltage142 V
Drain to Source Voltage (Vdss)142 V
Frequency512 MHz
Gain24 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)2.5 V
Max Operating Temperature150 °C
Min Breakdown Voltage133 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Output Power25 W
Power Dissipation25 W
Schedule B8541290080
Test Current10 mA
Test Voltage50 V
Voltage Rating133 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen