NXP Semiconductors MRF6V2010GNR1
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Farnell | MRF6V2010GNR1 | 0 | 1 | Cut Tape | 23h | |||||||
| Component Stockers USA | MRF6V2010GNR1 | 11.978 | >1wk | |||||||||
| Worldway Electronics | MRF6V2010GNR1 | 13.426 | 7 | Tape & Reel | 22h | |||||||
| SHENGYU ELECTRONICS | MRF6V2010GNR1 | 13.598 | 1 | 3d | ||||||||
| Fmall Co., Limited | MRF6V2010GNR1 | 19.680 | >1wk |
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00
Introduction Date2016-09-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2021-12-01
LTD Date2022-05-31
Verwandte Teile
NXP SemiconductorsMRFE6VS25NR1
RF Power Transistor,1.8 to 2000 MHz, 25 W, Typ Gain in dB is 25.5 @ 512 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1732
NXP SemiconductorsMMRF1304NR1
Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8 - 2000 MHz, 25 W, 50 V/ REEL RoHS Compliant: Yes
NXP SemiconductorsMW6S010GNR1
RF Power Transistor,450 to 1500 MHz, 10 W, Typ Gain in dB is 18 @ 960 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1731
Beschreibungen
Beschreibungen von NXP Semiconductors MRF6V2010GNR1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
RF Power Transistor,10 to 450 MHz, 10 W, Typ Gain in dB is 23.9 @ 220 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1731
Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 10-450 MHz, 10 W, 50 V, FM2
NXP Semiconductors SCT
Transistor RF FET N-CH 110V 10MHz to 450MHz 2-Pin TO-270G T/R
MRF6V2010 Series 50 V 30 mA 220 MHz 23.9 dB 10 W RF Power MOSFET - TO-270G-2
Rf Fet, 110V, 10W, To-270G Rohs Compliant: Yes |Nxp MRF6V2010GNR1
Transistors RF MOSFET VHV6 10W TO270-2GN
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-270BA
Aliasnamen des Herstellers
NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-270-2
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight547.996282 mg
Technical
Drain to Source Breakdown Voltage110 V
Drain to Source Voltage (Vdss)110 V
Element ConfigurationSingle
Frequency220 MHz
Gain22.5 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Max Operating Temperature225 °C
Min Breakdown Voltage110 V
Number of Elements1
Output Power10 W
PackagingTape & Reel
Test Current30 mA
Test Voltage50 V
Voltage Rating110 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen